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新闻资讯

深入解析rk平台Android A/B分区核心代码:android_ab.c全维
04 2026/05

深入解析rk平台Android A/B分区核心代码:android_ab.c全维

在Android系统的无缝更新(Seamless Updates)方案中,A/B(Slot A/B)分区机制是核心——它通过双系统槽位实现更新时不中断用户使用,更新失败也能快速回滚。而U-Boot作为嵌入式系统的第一阶段引导程序,承担了A/...

功率MOSFET器件的单脉冲雪崩能量参数解读
15 2026/04

功率MOSFET器件的单脉冲雪崩能量参数解读

在功率MOSFET器件的设计与选型中,单脉冲雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)是一个至关重要的参数。它量化了器件在极端过压条件下,单次承受雪崩能量的能力,其单位是焦耳(J)。EAS值越大,意味着...

使用Keithley KickStart软件对高亮度LED进行脉冲特性表征
22 2026/04

使用Keithley KickStart软件对高亮度LED进行脉冲特性表征

高亮度发光二极管(HBLED)等器件的制造商,通常在研发和设计阶段就需要对原型器件进行特性评估。虽然直流(DC)测试是常见方法,但在实际应用中,许多器件需要在脉冲或短时导通条件下工作,才能真实反映其性能表现。尽管脉冲测试的测试架构看似简单,...

如何使用多相升压转换器
07 2026/05

如何使用多相升压转换器

当系统需要的电压高于可用电压时,升压转换器是满足这一需求的理想选择。然而,经典的标准升压拓扑结构并非唯一方案。一种更优的解决方案或许是移相多相升压转换器。这类转换器在高负载工况下效率更高,同时能降低输入及输出电容值。

MEMS加速度计的抗冲击能力与耐振动性之间的关键差异
26 2026/04

MEMS加速度计的抗冲击能力与耐振动性之间的关键差异

MEMS加速度计在机械应力频繁且剧烈的环境中应用日益广泛。本文探讨了抗冲击能力与耐振动性之间的关键差异,这两项核心指标决定了传感器在恶劣条件下的可靠性。文中概述了提升传感器稳健性的相关测试标准、失效机制及设计策略,并以ADI公司的加速度计与...